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NGTB50N60SWG	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB50N60SWG	文件：142.62 Kbytes Page：10 Pages	IGBT 文件：142.62 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB50N60SWG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 50A TO247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTG50N60FLWG	文件：170.49 Kbytes Page：9 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 文件：170.49 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTG50N60FWG	文件：176.19 Kbytes Page：9 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 文件：176.19 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
PJM50N60TE	文件：2.3539 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：2.3539 Mbytes 页数：5 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI

产品属性

产品编号：
NGTB50N60SWG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，50A
开关能量：
600µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
70ns/144ns
测试条件：
400V，50A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 50A TO247

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