IGBT，N 沟道 600V，20A，VCE（sat）； 1.45V TO-3PF-3L，带低 VF 开关二极管

NGTB20N60L2TF1G is N-Channel IGBT 600V, 20A, VCE(sat);1.45V TO-3PF-3L with Low VF Switching Diode. • IGBT VCE(sat)=1.45V typ. (IC=20A, VGE=15V)\n• Hhigh efficiency\n• IGBT tf=67ns typ.\n• Easy to attach\n• Diode VF=1.5V typ. (IF=20A)\n• High reliability\n• Diode trr=70ns typ.\n• 适应全绝缘型封装\n• 增强型 (Enhancement type)\n• 最高结温 Tj=175°C;

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安森美半导体

N-Channel IGBT

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Package：TO-3PFM，SC-93-3；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 20A TO3PF

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