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NGTB20N60L2TF1G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

NGTB20N60L2TF1G

参数属性

NGTB20N60L2TF1G 封装/外壳为TO-3PFM,SC-93-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 20A TO3PF

功能描述

IGBT,N 沟道 600V,20A,VCE(sat); 1.45V TO-3PF-3L,带低 VF 开关二极管
IGBT 600V 20A TO3PF

封装外壳

TO-3PFM,SC-93-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 15:16:00

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NGTB20N60L2TF1G规格书详情

描述 Description

NGTB20N60L2TF1G is N-Channel IGBT 600V, 20A, VCE(sat);1.45V TO-3PF-3L with Low VF Switching Diode.

特性 Features

• IGBT VCE(sat)=1.45V typ. (IC=20A, VGE=15V)
• Hhigh efficiency
• IGBT tf=67ns typ.
• Easy to attach
• Diode VF=1.5V typ. (IF=20A)
• High reliability
• Diode trr=70ns typ.
• 适应全绝缘型封装
• 增强型 (Enhancement type)
• 最高结温 Tj=175°C

应用 Application

• 白物家电的功率因数校正
• 通用变频器 (General purpose inverter)
• Air Conditioner
• UPS (Online)
• Nailing Machine
• AC Servo Motor System

简介

NGTB20N60L2TF1G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB20N60L2TF1G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NGTB20N60L2TF1G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :20

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.45

  • VF Typ (V)

    :1.5

  • Eoff Typ (mJ)

    :-

  • Eon Typ (mJ)

    :-

  • Trr Typ (ns)

    :70

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :84

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :64

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-3PF-3L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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