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NGTB15N120IHL数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
NGTB15N120IHL |
| 参数属性 | NGTB15N120IHL 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 |
| 功能描述 | IGBT 1200V 15A FS1 电感加热 |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:00:00 |
| 人工找货 | NGTB15N120IHL价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGTB15N120IHL规格书详情
描述 Description
此款隔离门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 (FS) 沟槽结构，为要求苛刻的开关应用提供卓越性能，提供低导通状态电压，并最大限度降低开关损耗。此款 IGBT 非常适合谐振或软开关应用。此器件集成了一个耐用的组合封装续流二极管，采用低正向电压。
特性 Features
• Low Saturation Voltage using Trench with Fieldstop Technology
• Low Switching Loss
应用 Application
• Induction Heating
• Consumer Appliances
• Soft Switching
简介
NGTB15N120IHL属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB15N120IHL晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
NGTB15N120IHLWG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，15A
- 开关能量：
560µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/165ns
- 测试条件：
600V，15A，15 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
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