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NGTB05N60R2DT4G数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NGTB05N60R2DT4G

功能描述

IGBT, 600V, 8A, N-Channel

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 18:32:00

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NGTB05N60R2DT4G规格书详情

描述 Description

NGTB05N60R2DT4G is an IGBT, 600V, 8A, N-Channel.

特性 Features

• 5μs 抗短路能力
• Safety Design
• High Power Dissipation/Tjmax=175°C
• High Reliability
• Low Saturation Voltage : VCE(sat)=1,65V (typ) [IC=5A, VGE=15V]High Speed Switching : tf=95ns (typ)
• High Efficiency
• 反向导通 II IGBT
• Diode VF=1.5V (typ) [IF=5A]
• Diode trr=70ns (typ)

应用 Application

• 通用变频器 (General Purpose Inverter)
• Refrigerator
• Water pump
• Clothes Washer
• Dehumidifier

技术参数

  • 制造商编号

    :NGTB05N60R2DT4G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :8

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.65

  • VF Typ (V)

    :1.5

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.06

  • Eon Typ (mJ)

    :0.188

  • Trr Typ (ns)

    :70

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :30

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :5

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :56

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :DPAK-3

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