NGTB03N60R2DT4G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

NGTB03N60R2DT4G is an IGBT, 600 V, 4.5 A, N-Channel.

特性 Features

• 5 μs 抗短路能力
• Safety Design
• Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.7 V (typ)[IC = 3 A, VGE = 15 V]High Speed Switching : tf = 75 ns (typ)
• High Efficiency
• High Power Dissipation/Tjmax = 175°C
• High Reliability
• 反向导通 II IGBT
• Diode VF = 1.5 V (typ) [IF = 3 A]
• Diode trr = 65 ns (typ)

应用 Application

• 通用变频器 (Genera-purpose Inverter)
• Refrigerator
• Water Pump
• Dehumidifier
• Clothes Washer

简介

NGTB03N60R2DT4G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB03N60R2DT4G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。