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NGTB03N60R2DT4G	文件：598.12 Kbytes Page：8 Pages	IGBT 600V, 4.5A, N-Channel Features ReverseConductingIIIGBT IGBTVCE(sat)=1.7V(typ)[IC=3A,VGE=15V] IGBTtf=75ns(typ) DiodeVF=1.5V(typ)[IF=3A] Diodetrr=65ns(typ) 5sShortCircuitCapability Applications GeneralPurposeInverter	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB03N60R2DT4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 9A 600V DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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功能描述

制造商&上传企业

LOGO

NGTB03N60R2DT4G

文件：598.12 Kbytes

Page：8 Pages

IGBT 600V, 4.5A, N-Channel

Features ReverseConductingIIIGBT IGBTVCE(sat)=1.7V(typ)[IC=3A,VGE=15V] IGBTtf=75ns(typ) DiodeVF=1.5V(typ)[IF=3A] Diodetrr=65ns(typ) 5sShortCircuitCapability Applications GeneralPurposeInverter

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NGTB03N60R2DT4G

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 9A 600V DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

产品属性

产品编号：
NGTB03N60R2DT4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，3A
开关能量：
50µJ（开），27µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
27ns/59ns
测试条件：
300V，3A，30 欧姆，15V
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
IGBT 9A 600V DPAK

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更多NGTB03N60R2DT4G供应商更新时间2024-4-30 16:24:00

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