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NGTB60N60SWG

IGBT

ONSEMI

安森美半导体

NGTB60N60SWG

IGBT

文件:101.18 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGTB60N60SWG

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 120A 298W TO247

ONSEMI

安森美半导体

NP60N60VDK

60 V ??60 A ??N-channel Power MOS FET Application: Automotive

文件:442.95 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

NST60N60SJ

N-Channel Power MOSFET 60A/600V

文件:2.85866 Mbytes 页数:7 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

PS60N60

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - 60Amp 60Volt

文件:194.45 Kbytes 页数:5 Pages

SIRECT

矽莱克半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NGTB60N60SWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    1.41mJ(开),600µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    87ns/180ns

  • 测试条件:

    400V,60A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 120A 298W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSemiconductor
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更多NGTB60N60SWG供应商 更新时间2025-12-1 14:16:00