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NGTB60N60SWG	文件：101.18 Kbytes Page：7 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB60N60SWG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 120A 298W TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NP60N60VDK	文件：442.95 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NST60N60SJ	文件：2.85866 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET60A/600V	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
PS60N60	文件：194.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor-60Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
RLFTPGB60N60CT	文件：435.77 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELIGBT APPLICATIONS Weldingconverters PowerFactorCorrection AirCondition FEATURES Lowgatecharge TrenchFSTechnology, RoHSproduct	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RLPGB60N60CT	文件：354.54 Kbytes Page：6 Pages	IGBT Features 600V,60A VCE(sat)(typ.)=1.85V@VGE=15V,IC=60A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
SSG60N60	文件：33.03 Kbytes Page：2 Pages	85AMP600VOLTSFASTPOWERIGBT	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SSG60N60N	文件：33.03 Kbytes Page：2 Pages	85AMP600VOLTSFASTPOWERIGBT	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SSG60N60NDB	文件：33.03 Kbytes Page：2 Pages	85AMP600VOLTSFASTPOWERIGBT	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

产品属性

产品编号：
NGTB60N60SWG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，60A
开关能量：
1.41mJ（开），600µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
87ns/180ns
测试条件：
400V，60A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 120A 298W TO247

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