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NGTB10N60R2DT4G	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT, 600V, 10A, N-Channel NGTB10N60R2DT4G is an IGBT, 600V, 10A, N-Channel. • 5μs 抗短路能力\n• Safety Design\n• Low Saturation Voltage : VCE(sat)=1.7V (typ) [IC=10A, VGE=15V]High Speed Switching : tf=65ns (typ)\n• High Efficiency\n• High Power Dissipation/Tjmax=175°C\n• High Reliability\n• 反向导通 II IGBT\n• Diode VF=1.5V (typ) [IF=10A]\n• Diode trr=90ns (typ);	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB10N60R2DT4G	文件：531.76 Kbytes Page：7 Pages	IGBT 600V, 10A, N-Channel 文件：531.76 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB10N60R2DT4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB15N120FL2W	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	ON 上传：深圳诚思涵科技有限公司	ON
NGTB25N120FL3WG	文件：0 bytes Page：0 Pages	N/A	ON 上传：新晔电子(深圳)有限公司	ON

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更多NGTB10N60R2DT4G供应商更新时间2026-7-27 13:51:00