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NGTB10N60R2DT4G分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NGTB10N60R2DT4G |
| 参数属性 | NGTB10N60R2DT4G 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 20A DPAK |
| 功能描述 | IGBT 600V, 10A, N-Channel |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
531.76 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 17:32:00 |
| 人工找货 | NGTB10N60R2DT4G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGTB10N60R2DT4G规格书详情
NGTB10N60R2DT4G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的NGTB10N60R2DT4G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
NGTB10N60R2DT4G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，10A
- 开关能量：
412µJ（开），140µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
48ns/120ns
- 测试条件：
300V，10A，30 欧姆，15V
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
IGBT 600V 20A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
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ON/安森美 |
24+ |
TO252 |
880000 |
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ON/安森美 |
21+ |
TO-252-2(DPAK) |
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ON/安森美 |
24+ |
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ON/安森美 |
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ON/安森美 |
22+ |
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ON Semiconductor |
22+ |
DPAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-252-2(DPAK) |
8080 |
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询价 |
