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NGTB03N60R2DT4G分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NGTB03N60R2DT4G |
| 参数属性 | NGTB03N60R2DT4G 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 9A 600V DPAK |
| 功能描述 | IGBT 600V, 4.5A, N-Channel |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | DPAK / TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
598.12 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 20:45:00 |
| 人工找货 | NGTB03N60R2DT4G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGTB03N60R2DT4G规格书详情
NGTB03N60R2DT4G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的NGTB03N60R2DT4G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
特性 Features
Reverse Conducting II IGBT
IGBT VCE(sat)=1.7V (typ) [IC=3A, VGE=15V]
IGBT tf=75ns (typ)
Diode VF=1.5V (typ) [IF=3A]
Diode trr=65ns (typ)
5s Short Circuit Capability
Applications
General Purpose Inverter
产品属性
更多- 产品编号：
NGTB03N60R2DT4G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，3A
- 开关能量：
50µJ（开），27µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
27ns/59ns
- 测试条件：
300V，3A，30 欧姆，15V
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
IGBT 9A 600V DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
Onsemi |
22+ |
TO-252 |
5000 |
安森美现货库存,终端可送样 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-252-2(DPAK) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
19+ |
TO-252 |
4500 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
2669 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 |
