NGTB03N60R2DT4G 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ON/安森美

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1+	面议

厂家型号：
NGTB03N60R2DT4G
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
生产厂商：
ON/安森美
库存数量：
30000
产品封装：
TO-252-2(DPAK)
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-27 16:21:00

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原厂料号：NGTB03N60R2DT4G品牌：ON/安森美

原装正品公司现货,假一赔十!

NGTB03N60R2DT4G是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ON/安森美/onsemi生产封装TO-252-2(DPAK)/TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63的NGTB03N60R2DT4G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
NGTB03N60R2DT4G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
8 页
文件大小：
598.12 kb
资料说明：
IGBT 600V, 4.5A, N-Channel

产品参考属性

类型
描述
产品编号：
NGTB03N60R2DT4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，3A
开关能量：
50µJ（开），27µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
27ns/59ns
测试条件：
300V，3A，30 欧姆，15V
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
IGBT 9A 600V DPAK

供应商

企业：
深圳市富利微电子科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
肖先生/朱小姐
手机：
15817200827
询价：
电话：
0755-23894711/15817200827
传真：
0755-23894711
地址：
深圳市福田区华强北路赛格广场4501A室

NGTB03N60R2DT4G 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ON/安森美

NGTB03N60R2DT4G

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