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GTB0360RG	文件：598.12 Kbytes Page：8 Pages	型号：NGTB03N60R2DT4G；Package：DPAK；IGBT 600V, 4.5A, N-Channel Features ReverseConductingIIIGBT IGBTVCE(sat)=1.7V(typ)[IC=3A,VGE=15V] IGBTtf=75ns(typ) DiodeVF=1.5V(typ)[IF=3A] Diodetrr=65ns(typ) 5sShortCircuitCapability Applications GeneralPurposeInverter	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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文件：598.12 Kbytes

Page：8 Pages

型号：NGTB03N60R2DT4G；Package：DPAK；IGBT 600V, 4.5A, N-Channel

Features ReverseConductingIIIGBT IGBTVCE(sat)=1.7V(typ)[IC=3A,VGE=15V] IGBTtf=75ns(typ) DiodeVF=1.5V(typ)[IF=3A] Diodetrr=65ns(typ) 5sShortCircuitCapability Applications GeneralPurposeInverter

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更多GTB0360RG供应商更新时间2025-7-31 14:28:00

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