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NGTB30N60FLWG	文件：182.13 Kbytes Page：10 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB30N60FLWG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 250W TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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RLFGB30N60CT	文件：1.29926 Mbytes Page：6 Pages	IGBT Features ◼600V,30A ◼VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A ◼Highspeedswitching ◼Highersystemefficiency ◼Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswi	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RLGB30N60CT	文件：1.32406 Mbytes Page：6 Pages	IGBT Features 600V,30A VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswitchingapp	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

产品属性

产品编号：
NGTB30N60FLWG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，30A
开关能量：
700µJ（开），280µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
83ns/170ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 600V 60A 250W TO247

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