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NGTB30N60FLWG	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT, 600 V, 30 A, FS1 Solar/UPS This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. • Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology\n• Soft Fast Reverse Recovery Diode\n• 5µs Short Circuit Capability;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB30N60FLWG	文件：182.13 Kbytes Page：10 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 文件：182.13 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB30N60FLWG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 250W TO247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB30N60FWG	文件：182.66 Kbytes Page：10 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 文件：182.66 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多NGTB30N60FLWG供应商更新时间2025-10-11 19:24:00