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NGTB30N60FLWG数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
NGTB30N60FLWG |
参数属性 | NGTB30N60FLWG 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 60A 250W TO247 |
功能描述 | IGBT, 600 V, 30 A, FS1 Solar/UPS |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 17:12:00 |
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NGTB30N60FLWG规格书详情
描述 Description
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss.
特性 Features
• Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology
• Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 5µs Short Circuit Capability
应用 Application
Solar Inverters Uninterruptible Power Supplies(UPS)
简介
NGTB30N60FLWG属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB30N60FLWG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
NGTB30N60FLWG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.9V @ 15V,30A
- 开关能量:
700µJ(开),280µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
83ns/170ns
- 测试条件:
400V,30A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247
- 描述:
IGBT 600V 60A 250W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
18000 |
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十 |
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ON/安森美 |
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ON |
23+ |
TO247 |
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ON Semiconductor |
24+ |
TO-247 |
30000 |
原厂正规渠道现货、保证原装正品 |
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ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
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ON Semiconductor |
22+ |
TO247 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
5000 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
14100 |
原装正品 |
询价 |