首页>NGTB25N120S>规格书详情
NGTB25N120S中文资料IGBT，1200V/25A - 焊接数据手册ONSEMI规格书
NGTB25N120S规格书详情
描述 Description
NGTB25N120S
特性 Features
TJmax = 175°C
Soft Fast Reverse Recovery Diode
Optimized for High Speed Switching
10 us Short Circuit Capability
简介
NGTB25N120S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB25N120S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：NGTB25N120S
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： IGBT 1200V/25A - Welding
- V(BR)CES Typ (V)
：1200
- IC Max (A)
：Condition: TC = 100°C'>25
- VCE(sat) Typ (V)
：Condition: VGE = 15 V
- VF Typ (V)
：2.1
- Eoff Typ (mJ)
：0.6
- Eon Typ (mJ)
：2.39
- Trr Typ (ns)
：154
- Irr Typ (A)
：15
- Gate Charge Typ (nC)
：178
- Short Circuit Withstand (µs)
：10
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：385
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
19+ |
TO-247 |
3600 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
onsemi |
21+ |
19 |
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-247 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
TI |
24+ |
TO-247 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
