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NGTB15N120LWG数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
NGTB15N120LWG |
| 参数属性 | NGTB15N120LWG 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 |
| 功能描述 | Incorporated into the device is a rugged co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage. |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 17:12:00 |
| 人工找货 | NGTB15N120LWG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGTB15N120LWG规格书详情
简介
NGTB15N120LWG属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB15N120LWG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
NGTB15N120LWG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，15A
- 开关能量：
2.1mJ（开），560µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
72ns/165ns
- 测试条件：
600V，15A，15 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-247-3 |
25000 |
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询价 | ||
ON |
23+ |
TO-247 |
30 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
12+ |
TO247 |
2654 |
原装现货 |
询价 | ||
ON/ |
24+ |
TO-247 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
TO247 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-247 |
8560 |
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ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
4530 |
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询价 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
TO247 |
8000 |
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询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
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