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NGTB15N120LWG中文资料Incorporated into the device is a rugged co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
NGTB15N120LWG |
参数属性 | NGTB15N120LWG 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 |
功能描述 | Incorporated into the device is a rugged co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage. |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
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NGTB15N120LWG规格书详情
简介
NGTB15N120LWG属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB15N120LWG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
NGTB15N120LWG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,15A
- 开关能量:
2.1mJ(开),560µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
72ns/165ns
- 测试条件:
600V,15A,15 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
4530 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ON/ |
24+ |
TO-247 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON |
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TO-247 |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
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TO247 |
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ON/安森美 |
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TO247 |
6000 |
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ON |
23+ |
TO-247 |
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正规渠道,只有原装! |
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onsemi |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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ON Semiconductor |
22+ |
TO247 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247-3 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
询价 |