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NGTB10N60FG数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
NGTB10N60FG |
参数属性 | NGTB10N60FG 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 10A TO220F3 |
功能描述 | IGBT N 沟道,600V,10A,VCE(sat)=1.5V,TO-220F-3FS |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
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NGTB10N60FG规格书详情
描述 Description
NGTB10N60FG is N-Channel IGBT, 600V, 10A, VCE(sat)=1.5V, TO-220F-3FS.
特性 Features
• IGBT VCE(sat)=1.5V typ (IC=10A, VGE=15V)
• IGBT IC=20A (Tc=25°C)
• 适应全绝缘型封装
• 5μs 抗短路能力
• Diode VF=1.3V typ (IF=10A)
• Diode trr=70ns typ
• 增强型 (Enhancement type)
应用 Application
• 白物家电的功率因数校正
• 通用变频器 (General purpose inverter)
• Sewing machine
• Dishwasher
• Refrigerator
• Clothes Washer
简介
NGTB10N60FG属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB10N60FG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:NGTB10N60FG
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:600
- IC Max (A)
:10
- VCE(sat) Typ (V)
:1.5
- VF Typ (V)
:1.3
- Eoff Typ (mJ)
:-
- Eon Typ (mJ)
:-
- Trr Typ (ns)
:70
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:55
- Short Circuit Withstand (µs)
:5
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:40
- Co-Packaged Diode
:Yes
- Package Type
:TO-220-3 FullPak
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220F |
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ON Semiconductor |
22+ |
TO220F3FS |
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询价 |