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NGTB10N60FG	文件：406.03 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB10N60FG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 10A TO220F3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJ10N60	文件：860.82 Kbytes Page：7 Pages	10A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ10N60-BL	文件：860.82 Kbytes Page：7 Pages	10A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ10N60F-LI	文件：860.82 Kbytes Page：7 Pages	10A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ10N60-LI	文件：860.82 Kbytes Page：7 Pages	10A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
P10N60	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
P10N60CA	文件：291.71 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
P10N60CAFJ	文件：291.72 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
P10N60HA	文件：1.033099 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

产品属性

产品编号：
NGTB10N60FG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，10A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/145ns
测试条件：
300V，10A，30 欧姆，15V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F-3FS
描述：
IGBT 600V 10A TO220F3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NGTB10N60FG供应商更新时间2025-7-23 23:00:00

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