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NGTB25N120FLWG数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
NGTB25N120FLWG规格书详情
简介
NGTB25N120FLWG属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB25N120FLWG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
NGTB25N120FLWG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
散装
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，25A
- 开关能量：
1.5mJ（开），950µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
91ns/228ns
- 测试条件：
600V，25A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 1200V 25A TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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