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NGTB30N60FWG	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 600V 30A Gen Mkt This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. • Optimized for Very Low VCEsat\n• Soft Fast Reverse Recovery Diode\n• 5µs Short Circuit Capability;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB30N60FWG	文件：182.66 Kbytes Page：10 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 文件：182.66 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB30N60FWG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 167W TO247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB30N60IHLWG	文件：180.9 Kbytes Page：10 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 文件：180.9 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB30N60IHLWG	文件：139.87 Kbytes Page：10 Pages	IGBT 文件：139.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB30N60SWG	文件：98.84 Kbytes Page：7 Pages	IGBT 文件：98.84 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NGTB30N60FWG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，30A
开关能量：
650µJ（开），650µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
81ns/190ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 60A 167W TO247

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