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NGTB30N60SWG分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NGTB30N60SWG |
| 参数属性 | NGTB30N60SWG 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 60A 189W TO247 |
| 功能描述 | IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
98.84 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
| 人工找货 | NGTB30N60SWG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGTB30N60SWG规格书详情
NGTB30N60SWG属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的NGTB30N60SWG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
NGTB30N60SWG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，30A
- 开关能量：
750µJ（开），540µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
57ns/109ns
- 测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 60A 189W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO247 |
7350 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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ON/安森美 |
25+ |
TO-247 |
860000 |
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ON |
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1983 |
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询价 | ||||
onsemi |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
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