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NGTB30N135IHR1WG分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

NGTB30N135IHR1WG
厂商型号

NGTB30N135IHR1WG

参数属性

NGTB30N135IHR1WG 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1350V 30A TO247

功能描述

Monolithic Free Wheeling Diode
IGBT 1350V 30A TO247

封装外壳

TO-247-3

文件大小

137.29 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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NGTB30N135IHR1WG规格书详情

NGTB30N135IHR1WG属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的NGTB30N135IHR1WG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NGTB30N135IHR1WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    630µA(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/200ns

  • 测试条件:

    600V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1350V 30A TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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