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NGTB30N120L2WG分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

NGTB30N120L2WG
厂商型号

NGTB30N120L2WG

参数属性

NGTB30N120L2WG 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 60A 534W TO247

功能描述

IGBT - Field Stop II
IGBT 1200V 60A 534W TO247

文件大小

105.94 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-8 15:08:00

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NGTB30N120L2WG规格书详情

NGTB30N120L2WG属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的NGTB30N120L2WG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NGTB30N120L2WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 描述:

    IGBT 1200V 60A 534W TO247

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