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NGTB30N60SWG	文件：98.84 Kbytes Page：7 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB30N60SWG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 189W TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTG30N60FLWG	文件：174.45 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTG30N60FWG	文件：175.33 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
RLFGB30N60CT	文件：1.29926 Mbytes Page：6 Pages	IGBT Features ◼600V,30A ◼VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A ◼Highspeedswitching ◼Highersystemefficiency ◼Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswi	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RLGB30N60CT	文件：1.32406 Mbytes Page：6 Pages	IGBT Features 600V,30A VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswitchingapp	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RLPGB30N60CT	文件：667.31 Kbytes Page：6 Pages	IGBT Features 600V,30A VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswitchingapp	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
SGB30N60	文件：425.17 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGB30N60	文件：382.42 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGH30N60RUF	文件：565.84 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
NGTB30N60SWG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，30A
开关能量：
750µJ（开），540µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
57ns/109ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 60A 189W TO247

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