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NGTB30N60FWG数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
NGTB30N60FWG |
| 参数属性 | NGTB30N60FWG 封装/外壳为TO-247-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 60A 167W TO247 |
| 功能描述 | IGBT 600V 30A Gen Mkt |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 11:10:00 |
| 人工找货 | NGTB30N60FWG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGTB30N60FWG规格书详情
描述 Description
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss.
特性 Features
• Optimized for Very Low VCEsat
• Low Switching Loss
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• 5µs Short Circuit Capability
应用 Application
Solar Inverters Motor Drives Uninterruptible Power Supplies (UPS)
简介
NGTB30N60FWG属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB30N60FWG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
NGTB30N60FWG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
散装
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，30A
- 开关能量：
650µJ（开），650µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
81ns/190ns
- 测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 60A 167W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
27822 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON Semiconductor |
23+ |
TO247 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2022+ |
500 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
TO247 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2402+ |
TO-2473 |
8324 |
原装正品!实单价优! |
询价 | ||
ON/安森美 |
2450+ |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | |||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 |
