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NGTB20N120IHSWG

IGBT

文件:184.12 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGTB20N120IHSWG

Package:TO-247-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 20A TO247

ONSEMI

安森美半导体

NGTB20N120IHWG

IGBT - Induction Cooking

文件:114.7 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGTB20N120LWG

Incorporated into the device is a rugged co?뭦ackaged free wheeling diode with a low forward voltage.

文件:178.19 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SCM20N120PCT

1200V /20 mΩ N-channel SiC Power MOSFET

Features Low on-resistance RDS(on) Best thermal conductivity and behavior High speed switching High robustness of dv/dt Low capacitances and low gate charge Low gate resistance for high-frequency switching Easy to parallel Halogen Free, RoHS Compliant Applications Switching mode power

文件:619.81 Kbytes 页数:6 Pages

GWSEMI

唯圣电子

产品属性

  • 产品编号:

    NGTB20N120IHSWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    650µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/160ns

  • 测试条件:

    600V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 20A TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON Semiconductor
22+
TO247
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原厂渠道,现货配单
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更多NGTB20N120IHSWG供应商 更新时间2025-10-28 14:58:00