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NGTB20N120IHWG分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NGTB20N120IHWG |
| 参数属性 | NGTB20N120IHWG 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 20A 1200V TO-247 |
| 功能描述 | IGBT - Induction Cooking |
| 文件大小 |
114.7 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-8 13:56:00 |
NGTB20N120IHWG规格书详情
NGTB20N120IHWG属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。安森美半导体公司制造生产的NGTB20N120IHWG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
NGTB20N120IHWG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.65V @ 15V，20A
- 开关能量：
480µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/170ns
- 测试条件：
600V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 20A 1200V TO-247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
询价 | ||||
ON |
20+ |
TO-247 |
60 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
TO-247 |
90000 |
公司集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货- |
询价 | |||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO247 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
ON |
2023+ |
TO-247 |
700000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
TO247 |
27800 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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ON |
23+ |
TO-247 |
60 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
