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NGTB20N120IHLWG分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
![NGTB20N120IHLWG](https://img.114ic.com/dgk/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg)
厂商型号 |
NGTB20N120IHLWG |
参数属性 | NGTB20N120IHLWG 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 40A 192W TO247-3 |
功能描述 | Incorporated into the device is a rugged co?뭦ackaged free wheeling diode with a low forward voltage. |
文件大小 |
175.53 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-14 22:59:00 |
NGTB20N120IHLWG规格书详情
NGTB20N120IHLWG属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。安森美半导体公司制造生产的NGTB20N120IHLWG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
NGTB20N120IHLWG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,20A
- 开关能量:
700µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/235ns
- 测试条件:
600V,20A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
15 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
TO-247-3 |
94633 |
询价 | |||
ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
102 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
1936 |
TO247 |
15 |
1936 |
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ON/ON Semiconductor/安森美/安 |
21+ |
TO-247 |
19 |
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询价 | ||
ONSemiconductor |
18+ |
NA |
3584 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-247-3 |
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