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NGTB15N60S1EG分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NGTB15N60S1EG |
| 参数属性 | NGTB15N60S1EG 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 30A 117W TO220-3 |
| 功能描述 | IGBT - Short-Circuit Rated |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
140.5 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-3 23:00:00 |
| 人工找货 | NGTB15N60S1EG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGTB15N60S1EG规格书详情
NGTB15N60S1EG属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体制造生产的NGTB15N60S1EG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
NGTB15N60S1EG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，15A
- 开关能量：
550µJ（开），350µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
65ns/170ns
- 测试条件：
400V，15A，22 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-220 |
9348 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
2016+ |
TO220-3 |
8880 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
询价 | ||
ON |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON/实单价优 |
24+ |
TO-220 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2022+ |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
询价 |
