NGTB15N60S1EG_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-安森美半导体

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厂家型号：
NGTB15N60S1EG
制造商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-220-3
包装：
管件
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-21 17:30:00

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原厂料号：NGTB15N60S1EG品牌：onsemi

资料说明：IGBT 600V 30A 117W TO220-3

NGTB15N60S1EG是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装TO-220-3的NGTB15N60S1EG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
ngtb15n60s1eg
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
资料说明：
IGBT 600V 30A 117W TO220-3

产品属性

类型
描述
产品编号：
NGTB15N60S1EG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，15A
开关能量：
550µJ（开），350µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
65ns/170ns
测试条件：
400V，15A，22 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 30A 117W TO220-3

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NGTB15N60S1EG

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