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NGTB15N60S1EG

IGBT - Short-Circuit Rated

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGTB15N60S1EG

IGBT - Short-Circuit Rated

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NGTB15N60S1EG

包装:管件 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 30A 117W TO220-3

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NGTB15N60S1EG_15

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产品属性

  • 产品编号:

    NGTB15N60S1EG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    550µJ(开),350µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    65ns/170ns

  • 测试条件:

    400V,15A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 30A 117W TO220-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi/安森美
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更多NGTB15N60S1EG供应商 更新时间2024-4-30 16:24:00