NGTB15N60S1EG 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
NGTB15N60S1EG
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
生产厂商：
ON(安森美)
库存数量：
8735
产品封装：
NA/
生产批号：
24+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-8-2 23:00:00

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原厂料号：NGTB15N60S1EG品牌：ON(安森美)

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NGTB15N60S1EG是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ON(安森美)/onsemi生产封装NA//TO-220-3的NGTB15N60S1EG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
NGTB15N60S1EG
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
10 页
文件大小：
179.23 kb
资料说明：
IGBT - Short-Circuit Rated

产品属性

类型
描述
产品编号：
NGTB15N60S1EG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，15A
开关能量：
550µJ（开），350µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
65ns/170ns
测试条件：
400V，15A，22 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 30A 117W TO220-3

供应商

企业：
深圳市得捷芯城科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
肖先生
手机：
19076157484
询价：
电话：
0755-82538261
传真：
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地址：
深圳市福田区福田街道福虹路9号世贸广场A座5层

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NGTB15N60S1EG

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