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NGTB40N65FL2WG	文件：277.38 Kbytes Page：11 Pages	IGBT - Field Stop II ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB40N65FL2WG	文件：145.25 Kbytes Page：10 Pages	IGBT - Field Stop II	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NGTB40N65FL2WG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB40N65FL2WG_V01	文件：277.38 Kbytes Page：11 Pages	IGBT - Field Stop II ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB40N65FL2WG_16	文件：145.25 Kbytes Page：10 Pages	IGBT - Field Stop II	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NGTB40N65FL2WG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，40A
开关能量：
970µJ（开），440µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
84ns/177ns
测试条件：
400V，40A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247

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