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FGA25N120	文件：1.38861 Mbytes Page：9 Pages	1200 V, 25 A NPT Trench IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGA25N120AN	文件：460.31 Kbytes Page：7 Pages	IGBT GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheAN seriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS).	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA25N120AN	文件：377.85 Kbytes Page：4 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.5V@IC=25A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FGA25N120AND	文件：567.05 Kbytes Page：8 Pages	IGBT GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANDseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANDseriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Feature	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA25N120ANTD	文件：867.85 Kbytes Page：9 Pages	1200V NPT Trench IGBT Description UsingFairchild®sproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1200VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation.Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicationsuchasi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA25N120ANTD	文件：385.96 Kbytes Page：4 Pages	NPT Trench IGBT DESCRIPTION ·NPTTrenchTechnology,Positivetemperaturecoefficien ·Extremelyenhancedavalanchecapabilityt ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V(Typ.)@IC=25A APPLICATIONS ·SolarInverter,UPS,Welder,DigitalPowerGenerator ·Telecom,ESS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FGA25N120ANTDTU	文件：786.01 Kbytes Page：9 Pages	1200 V, 25 A NPT Trench IGBT Description UsingFairchild®sproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1200VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation.Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicationsuchasi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA25N120AN	文件：926.86 Kbytes Page：6 Pages	High speed switching	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FGA25N120ANTD	文件：658.77 Kbytes Page：9 Pages	1200V NPT Trench IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA25N120ANTD_07	文件：658.77 Kbytes Page：9 Pages	1200V NPT Trench IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA25N120ANTD_F109	文件：658.77 Kbytes Page：9 Pages	1200V NPT Trench IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA25N120ANTDTU	文件：1.38861 Mbytes Page：9 Pages	1200 V, 25 A NPT Trench IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGA25N120ANTDTU-F109	文件：1.38861 Mbytes Page：9 Pages	1200 V, 25 A NPT Trench IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGA25N120FTD	文件：815.52 Kbytes Page：9 Pages	1200V, 25A Field Stop Trench IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA25N120ANTDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGA25N120ANTDTU-F109	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 50A 312W TO3P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGA25N120ANTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 40A 310W TO3P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
25N120	文件：45.88 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)HighspeedIGBT LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DC	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
BRG25N120D	文件：769.42 Kbytes Page：6 Pages	Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
DTGN25N120	文件：1.50879 Mbytes Page：8 Pages	Extremelyenhancedavalanchecapability GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK

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详细参数

型号：
FGA25N120
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
IGBT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	FGA25N120	仙童	2018+	TO3P	6000	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	FGA25N120	Freescale(飞思卡尔)	23+	标准封装	7483	我们只是原厂的搬运工	询价
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更多FGA25N120供应商更新时间2024-5-13 15:04:00

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