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HGH25N120A

N-Channel Enhancement Insulated Gate Bipolar Transistor

文件:996.65 Kbytes 页数:6 Pages

Huashan

华汕电子器件

HGH25N120A

IGBT

Huashan

华汕电子器件

HIH25N120TN

1200V NPT Trench IGBT

文件:870.21 Kbytes 页数:8 Pages

SEMIHOW

HM25N120FT

1200V /25A Trench Field Stop IGBT

文件:1.21274 Mbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM25N120T

DAXIN?셲 IGBTs offer lower losses and higher energy for application such as motor drive ,UPS, inverter and other soft switching applications.

文件:548.35 Kbytes 页数:8 Pages

HMSEMI

华之美半导体

技术参数

  • 结构Configuration:

    Single-N

  • 内部二极管With Diode:

    Yes

  • PC(W):

    200

  • VCES(V):

    1200

  • VGE(±V):

    30

  • IC(A)_25°C:

    50

  • IC(A)_100°C:

    25

  • VCE(sat) (V.typ) at VGE=15V:

    2.1

  • VGE(th)(max V):

    3.0~6.5

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更多HGH25N120A供应商 更新时间2025-12-11 14:01:00