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NGTB35N65FL2WG	文件：231.34 Kbytes Page：9 Pages	IGBT - Field Stop II ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB35N65FL2WG	文件：99.28 Kbytes Page：8 Pages	IGBT - Field Stop II	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB35N65FL2WG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB35N65FL2WG_V01	文件：231.34 Kbytes Page：9 Pages	IGBT - Field Stop II ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTG35N65FL2WG	文件：88 Kbytes Page：7 Pages	IGBT-FieldStopII	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NGTB35N65FL2WG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，35A
开关能量：
840µJ（开），280µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
72ns/132ns
测试条件：
400V，35A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247

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