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NGTB35N65FL2WG	文件：231.34 Kbytes Page：9 Pages	IGBT - Field Stop II This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar 文件：231.34 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NGTB35N65FL2WG_V01	文件：231.34 Kbytes Page：9 Pages	IGBT - Field Stop II This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar 文件：231.34 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB35N65FL2WG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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