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NGTB35N65FL2WG_V01	文件：231.34 Kbytes Page：9 Pages	IGBT - Field Stop II This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar 文件：231.34 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多NGTB35N65FL2WG_V01供应商更新时间2025-11-4 16:34:00