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FGA25N120ANTD中文资料PDF规格书
厂商型号 |
FGA25N120ANTD |
参数属性 | FGA25N120ANTD 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 50A 312W TO3P |
功能描述 | 1200V NPT Trench IGBT |
文件大小 |
867.85 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Fairchild Semiconductor |
企业简称 |
Fairchild【仙童半导体】 |
中文名称 | 飞兆/仙童半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-27 22:50:00 |
FGA25N120ANTD规格书详情
Description
Using Fairchild®s proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as induction heating, microwave oven.
Features
• NPT Trench Technology, Positive Temperature Coefficient
• Low Saturation Voltage: VCE(sat), typ = 2.0 V
@ IC = 25 A and TC = 25°C
• Low Switching Loss: Eoff, typ = 0.96 mJ
@ IC = 25 A and TC = 25°C
• Extremely Enhanced Avalanche Capability
Applications
• Induction Heating, Microwave Oven
产品属性
- 产品编号:
FGA25N120ANTDTU-F109
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT 和沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.65V @ 15V,50A
- 开关能量:
4.1mJ(开),960µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
50ns/190ns
- 测试条件:
600V,25A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商器件封装:
TO-3P
- 描述:
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHIL |
23+ |
TO-3P |
3580 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2020+ |
原厂原装正品 |
8000 |
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询价 | ||
FAIRC |
2020+ |
TO-3P |
16800 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO3P |
58000 |
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询价 | ||
FAIRCHIL |
23+ |
TO-3P |
18000 |
询价 | |||
FSC |
16+ |
TO-3P |
100 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
860000 |
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询价 | ||
21+ |
VQFN36 |
25850 |
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询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
TO-3P |
3 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO-247 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 |