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FGA180N33ATTU分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

FGA180N33ATTU

参数属性

FGA180N33ATTU 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 330V 180A 390W TO3P

功能描述

330V, 180A PDP Trench IGBT

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

695.91 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

网址

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更新时间

2025-11-20 18:19:00

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FGA180N33ATTU规格书详情

General Description

Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential.

特性 Features

• High Current Capability

• Low saturation voltage: VCE(sat) =1.03V @ IC = 40A

• High input impedance

• RoHS compliant

Applications

PDP SYSTEM

产品属性

  • 产品编号:

    FGA180N33ATTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.4V @ 15V,40A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 330V 180A 390W TO3P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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