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FGA15N120ANTD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

FGA15N120ANTD

参数属性

FGA15N120ANTD 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 30A 186W TO3P

功能描述

1200V NPT Trench IGBT

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

938.21 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

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更新时间

2025-11-20 10:31:00

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产品属性

  • 产品编号:

    FGA15N120ANTDTU-F109

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT 和沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    3mJ(开),600µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/160ns

  • 测试条件:

    600V,15A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 186W TO3P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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