| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILDTO-3P |
1800 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
1167 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
1761 |
24+ |
原装现货假一罚百 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO-3P |
65400 |
23+ |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
1800 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
9865 |
23+/24+ |
原装正品,专业分销其他被动元件 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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FAIRCHITO-3P |
6688 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市荣泽信电子科技有限公司12年
留言
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FSCN/A |
15000 |
13+ |
全新原装的现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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仙童TO-3P |
10000 |
2014+ |
主营MOS管，一级代理仙童，现货供应FGA15N120ANTDTU，全新原装正品，大量现货库存热卖。 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
76000 |
23+ |
IR英飞凌VISHAY专做 全新原装进口正品假一赔百,可开13 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
1167 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FSCTO-3P |
3000 |
2016+ |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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只做原装TO3P |
36520 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
1167 |
11+ |
原装现货支持BOM配单服务 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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ON/安森美TO-3P |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO-3P |
10765 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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FSCTO-3P |
18000 |
23+ |
FGA15N120ANTDTU采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
FGA15N120ANTDTU图片
FGA15N120ANTDTU_F109价格
FGA15N120ANTDTU_F109价格：￥12.2245品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的FGA15N120ANTDTU_F109多少钱，想知道FGA15N120ANTDTU_F109价格是多少？参考价：￥12.2245。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FGA15N120ANTDTU_F109批发价格及采购报价，FGA15N120ANTDTU_F109销售排行榜及行情走势，FGA15N120ANTDTU_F109报价。
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FGA15N120ANTDTU中文资料Alldatasheet PDF
更多FGA15N120ANTDTU功能描述:IGBT 晶体管 1200V NPT Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGA15N120ANTDTU_F109功能描述:IGBT 晶体管 1200V NPT Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
FGA15N120ANTDTU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT 和沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，15A
- 开关能量：
3mJ（开），600µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/160ns
- 测试条件：
600V，15A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 1200V 30A 186W TO3P
