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深圳市东来宝电子科技有限公司

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现代芯城（深圳）科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-3P

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-3P

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深圳市亿联芯电子科技有限公司

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深圳市赛美科科技有限公司

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FGA180N30DTU

FSC/ON原包装原封 □□

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深圳市能元时代电子有限公司

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FAIRCHILDTO-3P

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-3P

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深圳市纳福半导体有限公司

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深圳市安富世纪电子有限公司

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深圳市一线半导体有限公司

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FGA180N30DTU功能描述:IGBT 晶体管 TBD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    FGA180N30DTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装：

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：

    1.4V @ 15V，40A

  • 输入类型：

    标准

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供应商器件封装：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 300V 180A 480W TO3P

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