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HGTG20N120CND中文资料PDF规格书

HGTG20N120CND
厂商型号

HGTG20N120CND

功能描述

63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

文件大小

93.09 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Intersil Corporation
企业简称

Intersil瑞萨电子

中文名称

瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-27 23:00:00

HGTG20N120CND规格书详情

63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

The HGTG20N120CND is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on state conduction loss of a bipolar transistor.

Features

 63A, 1200V, TC = 25oC

 1200V Switching SOA Capability

 Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 340ns at TJ = 150oC

 Short Circuit Rating

 Low Conduction Loss

 

 

产品属性

  • 型号:

    HGTG20N120CND

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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