首页>HGTG18N120BN>规格书详情
HGTG18N120BN分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HGTG18N120BN |
| 参数属性 | HGTG18N120BN 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 54A 390W TO247 |
| 功能描述 | 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
84.92 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | INTERSIL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-11 23:39:00 |
| 人工找货 | HGTG18N120BN价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HGTG18N120BN规格书详情
The HGTG18N120BN is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor.
特性 Features
• 54A, 1200V, TC = 25°C
• 1200V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Avalanche Rated
• Temperature Compensating SABER™ Model www.intersil.com
产品属性
- 产品编号：
HGTG18N120BN
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，18A
- 开关能量：
800µJ（开），1.8mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/170ns
- 测试条件：
960V，18A，3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 1200V 54A 390W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCS |
20+ |
TO-2473L |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3550 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FSC |
2016+ |
TO-247 |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
询价 | ||
FAIRC |
2023+ |
TO-247 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
1922+ |
TO247 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1932+ |
TO-247 |
288 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
737 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 |
