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HGTG12N60A4分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

HGTG12N60A4
厂商型号

HGTG12N60A4

参数属性

HGTG12N60A4 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 54A 167W TO247

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBTs

封装外壳

TO-247-3

文件大小

229.61 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 20:00:00

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HGTG12N60A4规格书详情

The HGTP12N60A4, HGTG12N60A4 and HGT1S12N60A4S9A are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150°C.

This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies.

特性 Features

• >100kHz Operation at 390V, 12A

• 200kHz Operation at 390V, 9A

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 70ns at TJ = 125°C

• Low Conduction Loss

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards

产品属性

  • 产品编号:

    HGTG12N60A4

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    55µJ(开),50µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    17ns/96ns

  • 测试条件:

    390V,12A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 54A 167W TO247

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