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HGTG11N120CND分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

HGTG11N120CND
厂商型号

HGTG11N120CND

参数属性

HGTG11N120CND 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

功能描述

43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

封装外壳

TO-247-3

文件大小

110.12 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名称

仙童半导体 飞兆/仙童半导体公司

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更新时间

2025-8-10 23:01:00

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HGTG11N120CND规格书详情

The HGTG11N120CND is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The IGBT used is the development type TA49291. The Diode used is the development type TA49189.

特性 Features

• 43A, 1200V, TC = 25°C

• 1200V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 340ns at TJ = 150°C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Thermal Impedance SPICE Model www.fairchildsemi.com

产品属性

  • 产品编号:

    HGTG11N120CND

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,11A

  • 开关能量:

    950µJ(开),1.3mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/180ns

  • 测试条件:

    960V,11A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

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