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HGTG18N120BN分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
HGTG18N120BN |
参数属性 | HGTG18N120BN 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 54A 390W TO247 |
功能描述 | 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
封装外壳 | TO-247-3 |
文件大小 |
112.79 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | FAIRCHILD Fairchild Semiconductor |
中文名称 | 仙童半导体 飞兆/仙童半导体公司 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-11 23:39:00 |
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HGTG18N120BN规格书详情
The HGTG18N120BN is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor.
特性 Features
• 54A, 1200V, TC = 25°C
• 1200V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Avalanche Rated
• Temperature Compensating SABER™ Model www.fairchildsemi.com
产品属性
- 产品编号:
HGTG18N120BN
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,18A
- 开关能量:
800µJ(开),1.8mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
23ns/170ns
- 测试条件:
960V,18A,3 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 1200V 54A 390W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FCS |
20+ |
TO-2473L |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3550 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FSC |
2016+ |
TO-247 |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
询价 | ||
FAIRC |
2023+ |
TO-247 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
1922+ |
TO247 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1932+ |
TO-247 |
288 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
737 |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 |