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NESG2107M33-A	文件：244.19 Kbytes Page：11 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR HIGHFREQUENCY,LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 3-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(M33,0804PKG) FEATURES •ThedeviceisanidealchoiceforOSC,lownoise,high-gainamplification •SiGetechnologyadopted •3-pinsuperlead-lessminimold(M33,0804PKG)packa	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2107M33-A	文件：302.97 Kbytes Page：4 Pages	NECs NPN SILICON TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NESG2107M33-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD	CEL California Eastern Labs	CEL
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NESG2107M33	文件：213.31 Kbytes Page：8 Pages	NPNSILICONSiGeRFTWINTRANSISTOR NPNSILICON+SiGeRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(1007PKG) FEATURES •2differentbuilt-intransistors(2SC5436,NESG2107M33) Q1:Highgaintransistor fT=12GHzTYP.,S21e2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inlo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2107M33	文件：213.31 Kbytes Page：8 Pages	NPNSILICONSiGeRFTWINTRANSISTOR NPNSILICON+SiGeRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(1007PKG) FEATURES •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,NESG2107M33) Q1:Highgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,S21e2=11dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inl	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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产品属性

产品编号：
NESG2107M33-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
频率 - 跃迁：
10GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
增益：
7dB ~ 10dB
功率 - 最大值：
130mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 5mA，1V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
3 针 SuperMiniMold（M33）
描述：
RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NESG2107M33-A供应商更新时间2025-7-14 16:51:00

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