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NESG2107M33分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NESG2107M33 |
| 参数属性 | NESG2107M33 封装/外壳为3-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD |
| 功能描述 | NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
244.19 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-17 22:59:00 |
| 人工找货 | NESG2107M33价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NESG2107M33规格书详情
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
HIGH FREQUENCY, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33, 0804 PKG)
FEATURES
• The device is an ideal choice for OSC, low noise, high-gain amplification
• SiGe technology adopted
• 3-pin super lead-less minimold (M33, 0804 PKG) package
产品属性
- 产品编号：
NESG2107M33-T3-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
- 频率 - 跃迁：
10GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
- 增益：
7dB ~ 10dB
- 功率 - 最大值：
130mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 5mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
3 针 SuperMiniMold（M33）
- 描述：
RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
4350 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
SOT-23 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
NEC |
2007 |
M33 |
1400 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
NEC |
2450+ |
SOT923-3 |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
询价 | ||
NEC |
10PB |
SOT23/SOT323 |
1200 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT-23 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT23 |
32500 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
NEC |
22+ |
M33 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 |
